4008-622-911
芯圣電子推出增強(qiáng)型8位車規(guī)級(jí)觸摸微處理器HC8AT3541
HC8AT3541 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設(shè)計(jì)開發(fā)的增強(qiáng)型 8 位車規(guī)級(jí)觸摸微處理器，內(nèi)部包含 32K Bytes FLASH 程序存儲(chǔ)器，256 Bytes IRAM和 1K Bytes XRAM，最多 30個(gè)雙向 I/O 口，1 個(gè)外設(shè)功能引腳全映射模塊 PTM ，5 個(gè) 16 位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，3 組 12 位帶死區(qū)控制互補(bǔ) PWM，1 個(gè) 8 位 PWM， 2 個(gè) UART，1 個(gè) SPI，一個(gè) IIC，支持Linbus(提供Linbus stack)，最多 26 個(gè)外部中斷，最多 16 通道電容觸摸按鍵檢測(cè)，最多 16+2 路 12 位 ADC，四種系統(tǒng)工作模式（正常、低速、掉電和空閑）和 19 個(gè)中斷源，觸摸中斷開啟時(shí)保持超低功耗。HC8AT3541支持2.9~5.5V的工作電壓與-40℃~+125℃的工作溫度。已通過AEC Q100 - Grade 1認(rèn)證。
以下為該系列目前在售的型號(hào)及對(duì)應(yīng)參數(shù)：
HC8AT3541 是增強(qiáng)型 8 位車規(guī)級(jí)觸摸微處理器，資源豐富，具有高性能，高性價(jià)比的優(yōu)勢(shì)，并廣泛適用于汽車內(nèi)各種ECU應(yīng)用場(chǎng)景。
HC8AT3541 支持市面上主流的keil開發(fā)工具，搭配芯圣電子自研的HC-LINK仿真器和HC-PM51燒錄器，使用戶的開發(fā)更為方便快捷。此外，芯圣電子還配備了專業(yè)的FAE團(tuán)隊(duì)，為用戶的開發(fā)之旅保駕護(hù)航！
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二極管和三極管相同之處和區(qū)別是什么？二極管和三極管主要運(yùn)用在那些場(chǎng)景上？
二極管和三極管相同之處和區(qū)別是什么？二極管和三極管主要運(yùn)用在那些場(chǎng)景上？在電子領(lǐng)域中，二極管和三極管是兩種常見的半導(dǎo)體器件。盡管它們?cè)诿Q上有些相似，但在工作原理和應(yīng)用方面存在著明顯的差異。從相同之處來看，二極管和三極管都是基于半導(dǎo)體材料制造的電子器件。它們都具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟奶匦浴４送猓鼈兙哂械统杀尽⑿◇w積和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，因此在電路設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。然而，二極管和三極管在結(jié)構(gòu)和工作原理上存在差異。二極管由兩個(gè)層狀的半導(dǎo)體材料組成，即P型和N型材料，形成了一個(gè)PN結(jié)。它只有兩個(gè)引腳：正極（即陽極）和負(fù)極（即陰極）。二極管主要用于轉(zhuǎn)換電流方向、整流和調(diào)節(jié)電壓等方面。相比之下，三極管是由三個(gè)層狀的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。其中，P型和N型材料形成了兩個(gè)PN結(jié)，而另一個(gè)材料形成了基極。因?yàn)橛腥齻€(gè)引腳：發(fā)射極、基極和集電極，所以被稱為三極管。三極管具有放大和開關(guān)功能，在放大電路和邏輯電路中得到廣泛應(yīng)用。關(guān)于應(yīng)用場(chǎng)景，二極管主要應(yīng)用在電源、信號(hào)檢測(cè)和電路保護(hù)等方面。它可以用于構(gòu)建整流器、穩(wěn)壓器、電源開關(guān)和電壓限制器等電路。另一方面，三極管廣泛應(yīng)用于放大器、振蕩器、計(jì)時(shí)器和邏輯電路等領(lǐng)域。通過不同的電路配置和工作方式，三極管能夠處理信號(hào)放大、頻率調(diào)節(jié)和電子開關(guān)等任務(wù)。總結(jié)起來，二極管和三極管雖然有一些共同點(diǎn)，但在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用范圍上存在顯著差異。了解它們的相同之處和不同之處，能夠幫助我們更好地應(yīng)用它們，在電子領(lǐng)域中發(fā)揮其獨(dú)特的作用。
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汽車缺“芯”，這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵
近日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵。汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì) 在會(huì)上行業(yè)專家表示，一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。業(yè)內(nèi)人士表示，功率半導(dǎo)體，包括IGBT、碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體；業(yè)內(nèi)共識(shí)是，20萬元以內(nèi)的電動(dòng)車用IGBT，20萬元以上的電動(dòng)車用碳化硅功率半導(dǎo)體；碳化硅功率半導(dǎo)體損耗小、耐高壓、耐高溫，是功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展方向之一。目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月，去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資，要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。國產(chǎn)化是解決缺芯風(fēng)險(xiǎn)的辦法之一。目前，國內(nèi)的碳化硅供應(yīng)商，還沒有大規(guī)模供應(yīng)車規(guī)產(chǎn)品。加工硅要1500°C，加工碳化硅要2500°C；硅基襯底制作時(shí)間是兩三天，碳化硅襯底制作時(shí)間是兩三周。碳化硅器件的工藝要求高，所以成本約是硅基器件的數(shù)倍。現(xiàn)在，碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝還不夠成熟，良率不是很高，成本較高，未來成本一定要降下來。降低成本是國產(chǎn)碳化硅器件上車關(guān)鍵 傳統(tǒng)汽車時(shí)代，新車開發(fā)要45個(gè)月；數(shù)字化時(shí)代，新車開發(fā)要18-24個(gè)月，因此芯片、模塊、電驅(qū)、整車開發(fā)需要同步進(jìn)行，需要整車廠與半導(dǎo)體廠深度協(xié)同。“SiC處于汽車應(yīng)用的起步階段，需不斷提升SiC功率器件的生產(chǎn)制造良品率，滿足車規(guī)級(jí)量產(chǎn)質(zhì)量要求；SiC應(yīng)用于車輛屬于系統(tǒng)工程，需要整車、零部件、原材料生產(chǎn)企業(yè)的全產(chǎn)業(yè)鏈共同合作。”中國整車同行應(yīng)該多給國產(chǎn)半導(dǎo)體試錯(cuò)中改進(jìn)的機(jī)會(huì)。據(jù)行業(yè)跟蹤數(shù)據(jù)，國外半導(dǎo)體企業(yè)在碳化硅芯片方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)，國產(chǎn)SiC芯片在整車上應(yīng)用的規(guī)模較小且產(chǎn)業(yè)鏈仍不成熟；國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)，在SiC模塊封裝方面開始形成規(guī)模，量產(chǎn)推廣速度加快。SiC模塊的成本有望在2025年降到同規(guī)格IGBT的1.5~2倍，采用SiC技術(shù)的汽車電機(jī)控制器的占比將逐步增加。如何降低成本、穩(wěn)定質(zhì)量，是國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體在車上大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。碳化硅襯底目前占碳化硅芯片成本的約60%，因此降低襯底成本是重點(diǎn)。而現(xiàn)在碳化硅襯底的生產(chǎn)工藝還有三個(gè)瓶頸：一是晶體質(zhì)量，二是長(zhǎng)晶效率，三是切磨拋的損耗，這是行業(yè)內(nèi)各家企業(yè)都在努力攻克的難關(guān)。隨著產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)和產(chǎn)學(xué)研合作，未來有很大降本空間。主要方法：一是通過技術(shù)創(chuàng)新，提高效率和良率；二是規(guī)模化生產(chǎn)；三是設(shè)備、材料國產(chǎn)化。如，碳化硅晶錠在長(zhǎng)晶爐里15-20天長(zhǎng)3.5厘米，如果長(zhǎng)5厘米，效率將更高。目前，長(zhǎng)晶爐等設(shè)備已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化。“未來三到五年窗口期，會(huì)給國內(nèi)裝備提供平等機(jī)會(huì)。”行業(yè)呼喚標(biāo)準(zhǔn)完善以及避免盲目投資現(xiàn)在問題是未來兩三年產(chǎn)能嚴(yán)重不足，國際大芯片企業(yè)都在投資，更多投資在國外。中國是全球最大的新能源汽車市場(chǎng)，博世也在尋找合作伙伴，在中國市場(chǎng)布局，形成一定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。對(duì)于碳化硅的缺口，2025年全世界2000萬輛新能源汽車，如果B級(jí)以上車型15%-30%使用碳化硅功率半導(dǎo)體，那么碳化硅的缺口預(yù)計(jì)將達(dá)到150萬-300萬片6英寸晶圓。大家沖著這個(gè)缺口，拼命擴(kuò)產(chǎn)。但是，國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體真正有效產(chǎn)出、達(dá)到車規(guī)級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的不多，中低端的碳化硅功率半導(dǎo)體存在產(chǎn)能過剩的風(fēng)險(xiǎn)。在避免盲目擴(kuò)張的呼聲之外，盡快完善汽車功率半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)，也是業(yè)界熱切期盼的。現(xiàn)在每家車廠需要的功率器件“百花齊放”，讓供應(yīng)商的研發(fā)力量不能集中，能否讓汽車功率芯片、封裝的標(biāo)準(zhǔn)趨同，有利于集中精力辦大事。國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)的理事長(zhǎng)董揚(yáng)表示，成立功率半導(dǎo)體分會(huì)就是為了建立產(chǎn)業(yè)生態(tài)，打通標(biāo)準(zhǔn)制訂、檢測(cè)認(rèn)證等各個(gè)環(huán)節(jié)。相信中國汽車功率半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)迎來大發(fā)展的機(jī)會(huì)。
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