11 月 12 日消息，近日，中國最大閃存芯片制造商長江存儲向美國存儲芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長江存儲的多項 3D NAND 技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費用。長江存儲稱，美光的多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品涉嫌侵犯了長江存儲的 8 項專利，這些專利涉及到 3D NAND 存儲器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。

據(jù)媒體了解，存儲芯片主要分為 DRAM（動態(tài)隨機存儲）和 NAND（閃存）兩類，前者屬于易失性存儲器，即一旦斷電存儲資料立刻流失，一般被用作內(nèi)存輔助 CPU（中央處理器）進行計算；后者為非易失性存儲器，用于存儲資料，用于制造固態(tài)硬盤。

長江存儲在起訴書中指出，美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用長江存儲專利技術(shù)來與進行市場競爭，保護其市場份額，且美光未就使用上述專利支付合理費用，侵犯了長江存儲的利益，遏制了后者的創(chuàng)新動力。其還指控稱，美光在自己的專利文件中引用了長江存儲相關(guān)專利，證明美光了解長江存儲的專利組合非常重要，但美光并未采取任何實際行動尋求獲取長江存儲專利授權(quán)。

長江存儲還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達產(chǎn)品永久禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長江存儲支付專利授權(quán)費等。

長江存儲成立于 2016 年 7 月，總部位于湖北武漢，主攻設(shè)計、制造 3D NAND 閃存芯片。長江存儲采用了自研的 Xtacking（晶棧）架構(gòu)，其在技術(shù)上已經(jīng)追上國外巨頭，在 NAND 領(lǐng)域，長江存儲 2021 年就量產(chǎn)了 128 層 3D 堆疊產(chǎn)品，232 層產(chǎn)品亦開始上量。

美光是存儲芯片龍頭公司，與長江存儲在 NAND 市場是競爭對手，據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2023 年二季度的 NAND 市場，美光市場份額為 13%，排名第五。在市場體量上，長江存儲與美光差距較大。