Toshiba東芝日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。

到目前為止，Toshiba的N溝道共漏MOSFET系列產品一直聚焦12V產品，主要用于保護智能手機的鋰離子電池組。此次發布的30V產品可滿足更多電壓高于12V的應用，例如USB充電設備電源線的負載開關以及筆記本電腦和平板電腦中鋰離子電池組的保護。

要實現具有低漏極-源極導通電阻(RDS(ON))的雙向開關，需要兩個具有低RDS(ON)的3.3×3.3mm或2×2mm MOSFET。Toshiba的新產品采用全新的小巧輕薄封裝TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）），在單封裝共漏配置下具備9.9mΩ（典型值）的低源極-源極導通電阻(RSS(ON))。

USB Power Delivery (USB PD)支持15W (5V / 3A)到最大240W (48V / 5A)的電源，專為需要大功率電源的設備而開發。USB PD規定了交換供電端和接收端的角色互換功能，并要求具有USB充電功能的設備支持雙向供電，以便兩邊都能供電和受電。新產品是一種支持雙向供電且安裝面積較小的N溝道共漏MOSFET。

將該產品與Toshiba的TCK42xG系列驅動器IC相結合，可形成一個具有防回流功能的負載開關電路或一個可在“先合后斷”(MBB)和“先斷后合”(BBM)之間切換操作的功率多路復用電路。Toshiba今天發布了基于該產品組合的功率多路復用電路（使用共漏極MOSFET）的參考設計。使用該參考設計將有助于縮短產品設計和開發時間。

Toshiba將繼續擴大其產品陣容并改進特性，以提高設計靈活性。

應用

智能手機

筆記本電腦

平板電腦等

特點

高額定源-源電壓：VSSS=30V

低導通電阻：RSS(ON)=9.9mΩ（典型值）(VGS=10V)

共漏極連接結構可實現雙向導通

小巧輕薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）

主要規格

（除非另有說明，否則Ta=25°C）

型號

SSM10N961L

極性

N溝道×2

內部連接

共漏極

絕對
最大
額定值

源-源電壓VSSS(V)

30

柵-源電壓VGSS(V)

±20

源電流（直流）IS(A)[1]

9.0

源電流（直流）IS(A)[2]

14.0

電氣
特性

源-源擊穿電壓V(BR)SSS(V)

VGS＝0V

最小值

30

源極-源極導通電阻RSS(ON)(mΩ)

VGS＝10V

典型值

9.9

VGS＝4.5V

典型值

13.6

封裝

名稱

TCSPAG-341501

尺寸(mm)

典型值

3.37×1.47, t=0.11

備注：
[1] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：18μm，407mm2，FR4玻璃環氧板
[2] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：70μm，687.5mm2，FR4玻璃環氧板