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英特爾又一業務出售，捷普接手硅光模塊業務
被出售的硅光模塊業務 硅光模塊的優劣勢 總結
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一文搞懂航順HK32AUTO39A-3A系列單片機，工作原理+特征+電路圖
HK32AUTO39A-3A 使用 ARM? Cortex?-M3 內核，最高工作頻率為 120 MHz，支持一級 1 Kbyte 指令 Cache 緩存。HK32AUTO39A-3A 內置了航順自主研發的協處理器，可實現 ARM? Cortex?-M4 內核支持的算 術指令中的絕大部分，包括 32 位單精度浮點運算；此外，協處理器支持多種自定義的 32 位及 64 位算術運算。HK32AUTO39A-3A 內置了大容量存儲器：527 Kbyte Flash（最高）、64Kbyte SRAM、32Kbyte 緊耦合 SRAM 和 1Kbyte Cache。此外，通過 FSMC 模塊可外掛最多 1 GB 容量的外部靜態存儲器，其中 256 Mbyte 的空 間可以存放指令，并可用于片內 1 Kbyte 指令 Cache 緩存。通過 QSPI 模塊外掛 256 Mbyte 容量的 NOR Flash 存儲器，可存放指令，并且可用于片內 1 Kbyte 指令 Cache 緩存。 HK32AUTO39A-3A 內置了 AES、HASH 和 TRNG 真隨機數發生器，用于數據加解密及數字簽名等應用； 內置的 CRC 模塊支持數據完整性的檢查。HK32AUTO39A-3A 通過內置的數字照相機接口（DCMI）、4 路 TFT 接口和 2 個 DMA 模塊（共 12 路 DMA 通道）可實現數字圖像視頻從捕獲、運算處理到顯示的單芯片解決方案。HK32AUTO39A-3A 內置了串行音頻接口 SAI，支持當前大多數的音頻接口協議。HK32AUTO39A-3A 內置最多 2 個高級 16 位定時器（共 8 路 PWM 輸出，其中 6 路帶死區互補輸出）， 4 個通用 16 位定時器（共 16 路 PWM 輸出），2 個基本 16 位定時器。2 個高級定時器與內置的 4 路電壓 比較器（COMP）片內互連，可為客戶節省電機方案中板級電壓比較器及相關電路。 HK32AUTO39A-3A 提供獨立的 VBAT電池電源域。當 VDD 主電源掉電時，RTC 模塊可在 VBAT 電源供電下 繼續工作。 HK32AUTO39A-3A 內置了豐富的模擬電路：3 個 12 位 ADC（共 25 路模擬信號輸入通道，其中 2 路弱 驅動信號輸入通道和 1 路 5 V 高壓信號輸入通道）、2 個 12 位 DAC、1 個溫度傳感器、1 個 0.8 V 內部參 考電壓源、1 個低電壓檢測器（LVD）、1 個上/下電復位（POR/PDR）電路和 1 個 VBAT 電源電阻分壓器（分 壓器輸出在片內與 ADC 相連）。 HK32AUTO39A-3A 支持豐富的功耗模式；在最低功耗模式下，芯片的典型漏電電流小于 100 nA。 HK32AUTO39A-3A 系列產品均包括 48 腳、64 腳和 100 腳封裝形式；根據不同的封裝形式，器件的外 設配置有所不同。 HK32AUTO39A-3A 擁有豐富的外設配置，適合應用于汽車電子。特性ARM? Cortex? -M3 Core 最高時鐘頻率：120 MHz?24 位 System Tick 計時器? 工作電壓范圍? 雙電源域：主電源 VDD為 2.0 V ~ 3.6 V、備份電源 VBAT 為 1.8 V ~ 3.6 V。? 當主電源掉電時，RTC 模塊可繼續工作在 VBAT 電源下。? 當主電源掉電時，VBAT 電源為 86 Byte 備份寄存器持續供電。? VDD 典型工作電流 ? 運行（Run）模式動態功耗：19.34 mA@120MHz@3.3V ? 睡眠（Sleep）模式靜態功耗：5.65 mA@120MHz@3.3V（喚醒時間：1 個機器時鐘周期） ? 停機（Stop）模式靜態功耗： - LDO 全速工作：303 μA@3.3V- LDO 低功耗：89.47 μA@3.3V（喚醒時間：10μs）? 待機（Standby）模式靜態功耗：3.36 μA@3.3V（喚醒時間：150μs）? 關機（Shutdown）靜態功耗：0.09μA @3.3V（喚醒時間：200μs）? VBAT 典型工作電流（VDD掉電）? VBAT RTC 模式功耗：2.67 μA @3.3V? VBAT 模式功耗：2.19 μA @3.3V（RTC 關閉，備份寄存器保持）? 算術運算協處理器（COALU）? 實現 ARM? Cortex? -M4 內核支持的絕大部分算術指令。? 32 位單精度浮點運算 ? 支持多種自定義的 32 位及 64 位算術運算。DMA 控制器? 2 個獨立 DMA 控制器：DMA1 和 DMA2? DMA1 提供 7 路通道? DMA2 提供 5 路通道 ? 支持 Timer、ADC、SPI、I2C、USART 等多種外設觸發。存儲器 ? 527 Kbyte 的 Flash 存儲器，包括主區 Flash 512 Kbyte，Information 空間 15 Kbyte。當 CPU 主 頻不高于 24 MHz 時，支持 0 等待總線周期，具有代碼安全保護功能，可分別設置讀保護和 寫保護。? 1 Kbyte CPU 指令 Cache 緩存 ? 具有 64Kbyte SRAM 和 32Kbyte CCM SRAM ? FSMC 模塊可外掛 1 GB NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存儲器（其中，256 Mbyte 的空間可以存 放指令，可用于片內 Cache 緩存）。? QSPI 模塊可外掛 256 Mbyte NOR Flash 存儲器（可存放指令，用于片內 Cache 緩存）。? 內置指令加解密功能，放在片內存儲器和外掛存儲器的指令可實現千芯千面的密文存儲。? 時鐘 ? 外部 HSE 時鐘：支持 4 ~ 32 MHz 晶振 ? 外部 LSE 時鐘：32.768 kHz 晶振? 內部 HSI 時鐘：56 MHz/28MHz/8 MHz ? 內部 LSI 時鐘：40 kHz ? PLL 輸出時鐘：120MHz（最大值）復位 ? 外部管腳復位? 電源復位 ? 軟件復位? 看門狗（IWDG 和 WWDG）定時器復位? 低功耗管理復位 ? 安全加密? TRNG 真隨機數發生器? 128/192/256 位密鑰長度可配的 AES? HASH（SHA-256）? CRC32 ? 數據通訊接口? 6 路 USART ? 3 路 SPI（均支持 I2S 協議） ? 2 路 I2C? 1 路 SDIO? 2 路 CAN 2.0 A/B ? 1 路全速（FS）USB? 音視頻數據接口 ? 1 個數字照相機接口（DCMI）? 4 路 TFT 接口? 1 個串行音頻接口（SAI），包括 2 個獨立的音頻協議處理模塊 ? 定時器及 PWM 發生器? 高級定時器：TIM1/TIM8（6 路帶死區互補 PWM 輸出）? 通用定時器：TIM2/TIM3/TIM4/TIM5（16 位定時器）? 基本定時器：TIM6/TIM7（支持 CPU 中斷、DMA 請求和 DAC 轉換觸發）? 可編程電壓檢測（PVD）? 8 級檢測電壓門限可調? 上升沿和下降沿檢測可配置 ? 片內模擬外設? 3 個 12 位 1 MSPS ADC（共 25 路模擬信號輸入通道；其中 2 路弱驅動信號輸入通道和 1 路 5 V 高壓信號輸入通道）；支持雙 ADC 模式，采樣率最高 2 MSPS。? 2 個 12 位 DAC ? 1 個溫度傳感器 ? 1 個 0.8 V 內部參考電壓源? 1 個 VBAT 電源電阻分壓器（分壓器輸出在片內與 ADC 相連，實現 VBAT電源電壓監控） ? 4 路 COMP 電壓比較器（與片內 2 個高級 PWM 定時器互連，可為用戶節省電機方案中板 級 COMP 電壓比較器及相關電路）ID 標識 ? 每顆 HK32AUTO39A-3A 芯片提供一個唯一的 96 位 ID 標識 ? 調試及跟蹤接口 ? SW-DP 兩線調試端口 ? JTAG 五線調試端口 ? ARM DWT、FPB、ITM、TPIU 調試追蹤模塊 ? 單線異步跟蹤數據輸出接口（TRACESWO） ? 四線同步跟蹤數據輸出接口（TRACEDO[3:0]，TRACECKO）? 自定義 DBGMCU 調試控制器（低功耗模式仿真控制、調試外設時鐘控制、調試及跟蹤接口 分配）。? 通用輸入輸出端口（GPIO）? 64 腳 MCU 提供 51 個 GPIO 引腳，100 腳 MCU 提供 80 個 GPIO 引腳 ? 所有 GPIO 引腳可配置為外部中斷輸入? 內置可開關的上、下拉電阻 ? 支持開漏（Open-Drain）輸出 ? 支持施密特（Schmitt）遲滯輸入 ? 輸出驅動能力超高、高、中、低四檔可選 ? 提供最高 40 mA 驅動電流 ? RTC 時鐘計數器，配合軟件記錄年月日時分秒 ? 可靠性 ? 通過 HBM3000V/CDM500V/MM200V/LU200mA 等級測試 ? 工作溫度范圍 ? 工作溫度為-40°C ~ 105°C： - HK32AUTO39A-3ACET7 ? 工作溫度為-40°C ~ 125°C： - HK32AUTO39A-3ACET3 - HK32AUTO39A-3ARET3 - HK32AUTO39A-3AVET3引腳電源供電電路圖方框圖
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什么是半導體芯片？探尋半導體材料的潮流
半導體芯片，探尋半導體材料的潮流什么是半導體芯片？半導體芯片，指在半導體片材上進行浸蝕、布線，制成的能實現某種功能的半導體器件。除了常見的硅芯片，還有砷化鎵、鍺等半導體材料。半導體材料的潮流像汽車一樣，半導體也有潮流。在20世紀70年代，因特爾等美國企業在動態隨機存取內存（D-RAM）市場占據上風。但由于大型計算機的出現，需要高性能D-RAM的20世紀80年代，日本企業名列前茅。半導體材料種類除了硅芯片，常見的半導體材料還包括砷化鎵，但砷化鎵有毒，所以一些劣質電路板不要好奇分解它。鍺材料也常用于制作太陽能電池?？偨Y隨著科技的不斷發展，半導體芯片的應用范圍越來越廣泛。我們期待著未來，看看半導體材料的發展趨勢，探尋半導體芯片的新潮流。
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