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佳能公司推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移
佳能宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移，這是最重要的半導(dǎo)體制造工藝。
FPA-1200NZ2C
據(jù)悉，除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)外，佳能還將采用納米壓印(NIL)技術(shù)的半導(dǎo)體制造設(shè)備推向市場，擴大其半導(dǎo)體制造設(shè)備陣容，以滿足從最先進的半導(dǎo)體設(shè)備到現(xiàn)有設(shè)備的廣泛需求。
佳能官方介紹稱，其NIL技術(shù)可實現(xiàn)最小線寬14nm的圖形化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進的邏輯半導(dǎo)體所需的5nm節(jié)點。隨著掩模技術(shù)的進一步改進，納米壓印光刻有望實現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當(dāng)于2nm節(jié)點。此外，新產(chǎn)品采用新開發(fā)的環(huán)境控制技術(shù)，可抑制設(shè)備內(nèi)細顆粒污染，使精細復(fù)雜電路的形成成為可能，有助于制造尖端半導(dǎo)體器件。
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