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意法半導(dǎo)體展示創(chuàng)新的紅外(IR)傳感器，用于樓宇自動(dòng)化中的存在和運(yùn)動(dòng)檢測(cè)
具有微機(jī)械熱晶體管的高度集成超低功耗傳感器取代了傳統(tǒng)的被動(dòng)紅外探測(cè)器
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意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，為電子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供服務(wù)，正在推出一種新型人體存在和運(yùn)動(dòng)探測(cè)器，以增強(qiáng)通常使用被動(dòng)紅外(PIR)感測(cè)的安全系統(tǒng)、家庭自動(dòng)化設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
這STHS34PF80傳感器包含能夠檢測(cè)靜止物體的熱晶體管，這與傳統(tǒng)PIR檢測(cè)器不同，傳統(tǒng)PIR檢測(cè)器需要被檢測(cè)物體移動(dòng)才能從傳感器產(chǎn)生可測(cè)量的響應(yīng)。此外，雖然PIR需要菲涅耳透鏡來(lái)感應(yīng)移動(dòng)物體，但ST的新型探測(cè)器允許更簡(jiǎn)單的無(wú)透鏡結(jié)構(gòu)。
“今天的智能家居、智能建筑和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需要精確的存在檢測(cè)來(lái)改善對(duì)照明、供暖、安保和安全監(jiān)控等系統(tǒng)的控制，以實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的未來(lái)意法半導(dǎo)體AMS MEMS子組總經(jīng)理Simone Ferri說(shuō)。我們的新型STHS34PF80是一款經(jīng)濟(jì)、超低功耗的傳感器，無(wú)論檢測(cè)到的住戶是否在移動(dòng)，它都能讓樓宇自動(dòng)化持續(xù)運(yùn)行。它采用了CMOS芯片制造、硅微機(jī)械加工和低壓電路設(shè)計(jì)能力的創(chuàng)新組合.”
STHS34PF80嵌入了智能算法來(lái)檢測(cè)存在和運(yùn)動(dòng)，適用于報(bào)警和安全系統(tǒng)、家庭自動(dòng)化、智能照明、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能儲(chǔ)物柜和智能壁墊。其四米的無(wú)鏡頭范圍和80°的視野覆蓋了傳感器前方的大片區(qū)域。工作電流為10 A，功耗低于傳統(tǒng)PIR，3.2mm x 4.2mm x 1.455mm表貼封裝緊湊，適合自動(dòng)化高速組裝。該傳感器對(duì)直射光的不良影響具有很高的抵抗力，對(duì)電磁干擾(EMI)具有很高的抗擾度。
這斯特瓦爾-MKI231KA簡(jiǎn)化了對(duì)STHS34PF80。插入x-核-IKS01A3或者STEVAL-MKI109V3允許開(kāi)發(fā)人員使用STUnico-GUI用于在簡(jiǎn)化的工作流程中配置紅外傳感器和進(jìn)行測(cè)量的圖形界面。STHS34PF80的驅(qū)動(dòng)程序可從以下網(wǎng)站獲得開(kāi)源代碼庫(kù)。此外，中提供了一個(gè)現(xiàn)成的庫(kù)，用于補(bǔ)償和檢測(cè)人或?qū)ο蟮拇嬖赬-CUBE-MEMS1軟件包。用戶可以快速開(kāi)始運(yùn)行簡(jiǎn)單的應(yīng)用，利用STHS34PF80并測(cè)試結(jié)果，開(kāi)始創(chuàng)建應(yīng)用。
更多技術(shù)信息
STHS34PF80內(nèi)置對(duì)入射到柵極的紅外輻射熱效應(yīng)敏感的熱MOSFET(TMOS ),以及采用ST成熟可靠的絕緣體上硅(SOI) CMOS技術(shù)高效集成在同一芯片上的數(shù)字讀出電路。SOI的架構(gòu)有助于采用ST公司成熟的MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))工藝進(jìn)行微加工，以熱隔離TMOS，實(shí)現(xiàn)精確的溫度檢測(cè)。
TMOS以低于晶體管完全導(dǎo)通所需電壓的亞閾值電壓供電。在這種模式下，漏極-源極電流高度依賴于溫度，并對(duì)最小的紅外輻射產(chǎn)生可精確測(cè)量的響應(yīng)。這使得傳感器能夠通過(guò)紅外發(fā)射來(lái)檢測(cè)人的存在，無(wú)論人是移動(dòng)還是靜止。
亞閾值工作的另一個(gè)好處是晶體管功耗非常低，允許內(nèi)置STHS34PF80的電池供電傳感器在充電或更換電池之間長(zhǎng)時(shí)間工作。此外，標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造技術(shù)確保了傳感器生產(chǎn)的高成本效益和高晶圓產(chǎn)量，并利用亞微米晶體管幾何結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了小傳感器尺寸。這與PIR傳感器形成對(duì)比，后者的靈敏度取決于熱電像素的大小。此外，集成數(shù)字接口允許直接連接到主機(jī)，無(wú)需模擬前端電路。
這STHS34PF80現(xiàn)已投入生產(chǎn)，采用10引腳焊盤(pán)柵格陣列(LGA)封裝，千片訂量報(bào)價(jià)為2.60美元/片。
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英特爾又一業(yè)務(wù)出售，捷普接手硅光模塊業(yè)務(wù)
隨著今年全球經(jīng)濟(jì)下行壓力的到來(lái)，不少半導(dǎo)體廠商都選擇了裁員或剝離業(yè)務(wù)，用于節(jié)省成本提高利潤(rùn)率。英特爾也不例外，近日英特爾宣布將剝離可插拔硅光模塊業(yè)務(wù)，由捷普來(lái)承接這一業(yè)務(wù)。被出售的硅光模塊業(yè)務(wù)早在Q3季度的財(cái)報(bào)上，英特爾CEO Pat Gelsinger就表示為了實(shí)現(xiàn)2023年節(jié)省30億美元成本的目標(biāo)，他們決定剝離并出售可插拔硅光模塊業(yè)務(wù)，從而專注在附加價(jià)值高的主營(yíng)業(yè)務(wù)和AI基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展所需的光學(xué)I/O解決方案上。而這也是最近兩年半以來(lái)，英特爾剝離的第十個(gè)業(yè)務(wù)。此前命運(yùn)相近的業(yè)務(wù)還有SSD業(yè)務(wù)、筆記本Modem等。由此看來(lái)英特爾將主要重心放在了計(jì)算業(yè)務(wù)和晶圓代工上，尤其是在完成5年4個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)同時(shí)，還要能維持可觀的利潤(rùn)率，這也就意味著英特爾不得不與其他非關(guān)鍵業(yè)務(wù)做出分割。我們?cè)賮?lái)看看購(gòu)買英特爾這一業(yè)務(wù)的捷普，捷普專注于設(shè)計(jì)、制造和供應(yīng)鏈解決方案，其云和企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施高級(jí)副總裁Matt Crowley表示，這筆交易能夠很好地滿足數(shù)據(jù)中心行業(yè)重要客戶的需求，包括超大規(guī)模、人工智能云數(shù)據(jù)中心等。在于2015年收購(gòu)了奧新科技后，捷普已經(jīng)成了光學(xué)網(wǎng)絡(luò)與數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)的頂級(jí)全面解決方案供應(yīng)商之一了。其作為光無(wú)源器件、光有源器件、CATV、城域網(wǎng)和長(zhǎng)距離傳輸系統(tǒng)的制造服務(wù)商，已經(jīng)推出了各種高質(zhì)量低成本的有源和無(wú)源器件與模塊。除此之外，捷普也在針對(duì)數(shù)據(jù)中心推出FinTech與云計(jì)算相關(guān)的高性能、低延遲服務(wù)器，以今年推出的J312-S 1U和JS322-S 2U為例，也都是基于第四代Intel Xeon雙插槽處理器打造的。此番收購(gòu)英特爾的硅光模塊業(yè)務(wù)，捷普也能夠進(jìn)一步降低開(kāi)發(fā)和部署增強(qiáng)型光網(wǎng)絡(luò)解決方案的復(fù)雜性。硅光模塊的優(yōu)劣勢(shì)硅光模塊作為采用了硅光子技術(shù)的可插拔光模塊，其中硅光IC以SOI晶圓作為半導(dǎo)體基底材料，所以絕大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝也能適用。而且由于光子的物理特性，反而較老的CMOS節(jié)點(diǎn)完美適合這類光電設(shè)備的制造。相較于傳統(tǒng)的分立器件，其進(jìn)一步優(yōu)化了材料成本、封裝成本等。同時(shí)其集成、組裝和測(cè)試也都可以在晶圓級(jí)下完成，測(cè)試效率更高。硅光模塊采用激光束來(lái)代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)，通過(guò)光來(lái)代替銅作為傳輸介質(zhì)，提高了芯片到芯片之間的連接速度，所以更適合對(duì)延遲有著嚴(yán)格要求的應(yīng)用。硅光模塊也并非毫無(wú)缺點(diǎn)，比如其插入損耗較大，所以只能在較短的傳輸距離下實(shí)現(xiàn)足夠的可靠性，所以很難大部分廠商都還在繼續(xù)研究如何實(shí)現(xiàn)更好地與有源功能器件（比如光源和光放）的集成。此外，雖然硅光芯片的生產(chǎn)可以采用CMOS工藝，但根據(jù)不同晶圓廠的特種工藝水平不同，其硅光節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)程度和良率都存在差異。總結(jié)盡管硅光模塊帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)或許在100G的光模塊產(chǎn)品中不明顯，但隨著數(shù)據(jù)中心逐漸向400G、800G遷移，低成本的硅光模塊會(huì)成為更多數(shù)據(jù)中心的選擇，這對(duì)于想在數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)上更進(jìn)一步的捷普來(lái)說(shuō)，收下英特爾的硅光模塊無(wú)疑是一筆值當(dāng)?shù)慕灰住?/p>
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NAND Flash和NOR Flash的相同點(diǎn)和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。圖: NAND=NOT AND(與非門(mén)), NOR=NOT OR(或非門(mén))相同點(diǎn)兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。兩者在寫(xiě)之前都要先擦除，擦除是將所有位變?yōu)?，而寫(xiě)操作只能使1變成0不同點(diǎn)NOR Flash和NAND Flash各有其優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景，設(shè)計(jì)者可以根據(jù)產(chǎn)品需求來(lái)進(jìn)行選擇，兩者的主要不同點(diǎn)如下：接口NOR Flash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上，對(duì)CPU的接口要求低。NAND Flash使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)。容量和成本NOR Flash的容量較小，價(jià)格較高。NAND Flash的生產(chǎn)過(guò)程更簡(jiǎn)單，容量更大，價(jià)格更低。可靠性NAND Flash中的壞塊是隨機(jī)分布的，需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。Nor Flash上基本不存在壞塊問(wèn)題。壽命NAND Flash中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次。Nor Flash的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。讀寫(xiě)擦除性能NOR Flash的讀速度比NAND Flash快。NAND Flash的寫(xiě)入和擦除速度比NOR Flash快很多。總的來(lái)說(shuō)，NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫(xiě)壽命，因此適合用來(lái)存儲(chǔ)代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢(qián)可以獲得更大的容量。
哦! 它是空的。