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功率器件中功率半導體IGBT工藝流程是怎么樣的呢?

來源:永芯易科技| 發布日期:2023-06-12 11:52

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)的制造工藝-般包括以下主要步驟 :

1.襯底準備:選擇適當的襯底材料,通常使用硅(Silicon) 作為IGBT的基底。 襯底表面經過清潔和平整處理。

2.襯底摻雜:通過離子注入或擴散技術向襯底中摻入特定類型(N型或P型) 的雜質,形成N型或P型區域,用于構建PN結。

3.絕緣層沉積:在襯底表面沉積一層絕緣材料,通常使用二氧化硅(SiO2) ,以形成絕緣層。

4.通道制作:在絕緣層上刻蝕出通道區域,這是控制IGBT導電性的關鍵區域。

5.門極沉積:在通道區域上沉積金屬材料,通常是鋁(AI) 或鎢(W)合金,形成門極。

6.金屬層制作:通過光刻和蝕刻等步驟,在器件表面形成電極和金屬互連層, 以便進行電連接和引出。

7.裝配封裝:將制造好的IGBT芯片封裝到外部封裝中,以保護芯片并提供外部引腳供連接。


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