6月6日消息，據(jù)英特爾方面消息，其在產(chǎn)品級測試芯片上實現(xiàn)背面供電（backside power delivery）技術(shù)，以滿足邁向下一個計算時代的性能需求。

據(jù)介紹，作為英特爾的背面供電解決方案，PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點上推出。通過將電源線移至晶圓背面，PowerVia解決了芯片單位面積微縮中日益嚴重的互連瓶頸問題。

英特爾技術(shù)開發(fā)副總裁Ben Sell表示，“英特爾正在積極推進‘四年五個制程節(jié)點’計劃，并致力于在2030年實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管，PowerVia對這兩大目標而言都是重要里程碑。通過采用已試驗性生產(chǎn)的制程節(jié)點及其測試芯片，英特爾降低了將背面供電用于先進制程節(jié)點的風險，將背面供電技術(shù)推向市場。”

據(jù)悉，英特爾將PowerVia技術(shù)和晶體管的研發(fā)分開進行，以確保PowerVia可以被妥善地用于Intel 20A和Intel 18A制程芯片的生產(chǎn)中。在與同樣將與Intel 20A制程節(jié)點一同推出的RibbonFET晶體管集成之前，PowerVia在其內(nèi)部測試節(jié)點上進行了測試，以不斷調(diào)試并確保其功能良好。英特爾方面稱，經(jīng)在測試芯片上采用并測試PowerVia，證實了這項技術(shù)確實能顯著提高芯片的使用效率，單元利用率（cell utilization）超過90%，并有助于實現(xiàn)晶體管的大幅微縮，讓芯片設(shè)計公司能夠提升產(chǎn)品性能和能效。