國家新能源汽車技術創新中心和北京研究員，開源芯片中科海芯最近在北京設立RISC-V車規級半導體技術聯合實驗室，將圍繞國產車企芯片需求提升國產車規級芯片的研發效率、“上車”能力，國產汽車半導體自給率按下“加速鍵”鍵。

中國作為汽車制造大國，汽車產量繼續保持世界第一，對汽車芯片的需求旺盛，是國產新能源汽車特別是芯片的“大戶”。與消費者芯片不同，汽車嘉賓芯片的信賴性、一貫性、穩定性要求事項要面臨更加殘酷的環境才會更高。如果適應-40-150極端溫度、高振動、多灰塵、電磁干擾、適應0-100%濕度區間等，設計壽命一般在15年或20萬公里以上，對芯片質量提出了更高的要求。

北京開源芯片研究院首席科學家包云崗對記者說：“ARM架構在全球芯片領域長期占據主導地位。在汽車規格芯片領域，中外還存在很大差異，目前絕大多數國產汽車的cpu核心仍要依賴國外授權，面臨供應鏈風險。他表示：“從開發、生產、驗證、乘車到自主控制的國產汽車規格芯片，加快速度迫在眉睫。”

“RISC-V架構是中國芯片可以自主控制的‘敲門磚’，有望為提高國產汽車芯片自給率提供更多的可能性。國家新能源汽車技術創新中心主任原誠寅說，在這樣的背景下，聯合實驗室應運而生。

根據計劃，RISC-V車規級芯片技術共同發揮實驗室平臺和資源優勢，在北京研究所開源芯片具有競爭力的，可信度高，自主可控的國產車規級IP核，由中科海芯負責將其做成產品，由國家在創造中心設計，開發，產品會形成推進到。并通過驗證、乘車規范化流程及相關工具，共同提高汽車個人級芯片的開發效率，不斷探索實現中國汽車芯片產業鏈、供應鏈自主可控。