1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源轉(zhuǎn)型！

Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)希望這兩款首發(fā)產(chǎn)品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動(dòng)市場(chǎng)涌現(xiàn)更多寬禁帶器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個(gè)參數(shù)性能均超越同類(lèi)產(chǎn)品，例如高RDS(on)、良好的溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開(kāi)篇之作。毫無(wú)疑問(wèn)，在未來(lái)幾年里，我們將共同推動(dòng)SiC器件性能的發(fā)展。”
三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件部功率器件業(yè)務(wù)高級(jí)總經(jīng)理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機(jī)在SiC功率半導(dǎo)體方面積累了豐富的專業(yè)知識(shí)，我們的器件實(shí)現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。”
RDS(on)會(huì)影響傳導(dǎo)功率損耗，是SiC MOSFET的關(guān)鍵性能參數(shù)。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場(chǎng)上許多SiC器件的性能受限的因素，新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。
Nexperia SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低，由此可實(shí)現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗。此外，Nexperia通過(guò)平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進(jìn)一步提高了器件對(duì)寄生導(dǎo)通的抗擾度。 
除了正溫度系數(shù)外，Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低，這使得器件并聯(lián)工作時(shí)，在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)條件下都能實(shí)現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。
Nexperia未來(lái)還計(jì)劃推出車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。如果有需要采購(gòu)國(guó)外知名品牌進(jìn)口芯片的請(qǐng)聯(lián)系我司。