4008-622-911
美信MAX232CSE RS-232驅(qū)動器/接收器的工作原理、優(yōu)缺點以及引腳應(yīng)用
MAX232CSE線驅(qū)動器/接收器，專為EIA/TIA-232E以及V.28/V.24通信接口設(shè)計，尤其是無法提供±12V電源的應(yīng)用。
MAX232CSE封裝為SOP16，可操作溫度范圍從0至+70°C。
優(yōu)缺點
節(jié)省占位面積
集成電荷泵電路
去掉雙極±12V供電
實現(xiàn)+5V供電時單電壓操作
集成電容
節(jié)省功耗
5μW關(guān)斷模式
應(yīng)用
接口轉(zhuǎn)換
多點RS-232網(wǎng)絡(luò)
便攜式診斷設(shè)備
引腳
典型操作電路
推薦產(chǎn)品+
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存儲芯片板塊走強 美國同意三星電子向其中國工廠提供設(shè)備
韓聯(lián)社9日援引韓國總統(tǒng)辦公室的消息報道稱，三星電子和SK海力士將被允許無限期向其位于中國的工廠提供美國芯片制造設(shè)備，而無需獲得美國的單獨審批。韓聯(lián)社稱，這對韓國芯片制造商來說是一個急需的安慰，因為這一決定消除了兩家企業(yè)在中國生產(chǎn)芯片面臨的不確定性。據(jù)韓聯(lián)社報道，美國政府近期通過出口管制部門和國家安全委員會經(jīng)濟安全對話渠道向韓方通報，決定將三星電子和SK海力士在華半導(dǎo)體工廠指定為“經(jīng)驗證最終用戶”。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，相當(dāng)于美國對其的出口管制無限期暫停。韓聯(lián)社9月曾報道稱，考慮到兩家公司的未來計劃，允許通過“經(jīng)驗證最終用戶”進口的設(shè)備水平預(yù)計將高于美國對中國的出口管制，兩家公司還指定了可以帶入其中國生產(chǎn)線的設(shè)備。“這兩大芯片公司未來幾年內(nèi)需要進行制造設(shè)備升級以實現(xiàn)業(yè)務(wù)發(fā)展。”消息人士告訴韓聯(lián)社。作為全球最大的兩家存儲芯片制造商，三星和SK海力士在中國市場深耕多年。去年10月，美國頒布禁止美企向中國半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)出口部分尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的規(guī)定。韓聯(lián)社稱，這顯然是為減緩北京在這一關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)進步。然而，此舉也給在華外國廠商帶來不確定性。今年9月，眼看美國對在華設(shè)有半導(dǎo)體工廠的韓企為期一年的豁免即將到期，卻一直未就是否延長期限作出具體說明，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長官方文圭9月22日在首爾會見美國商務(wù)部副部長時，要求美國在芯片出口管制和投資補貼方面給出明確解決方案。“美國政府的決定意味著我們半導(dǎo)體公司最重要的貿(mào)易問題已經(jīng)解決。”韓國總統(tǒng)辦公室經(jīng)濟首席秘書崔相穆9日表示，美國政府已將其決定通知這兩家韓國公司，并立即生效。英國路透社援引SK海力士的聲明稱：“我們歡迎美國政府延長出口管制條例豁免的決定。我們相信這一決定將有助于穩(wěn)定全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。”美國彭博社引述三星電子發(fā)言人的話稱，“通過與相關(guān)政府密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已顯著消除。我們將繼續(xù)與所有相關(guān)政府密切合作，為全球半導(dǎo)體行業(yè)維持穩(wěn)定的供應(yīng)鏈。”
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功率半導(dǎo)體的碳化硅時代
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅已被廣泛應(yīng)用于功率器件的制造。隨著新能源汽車、工業(yè)電源、光伏儲能等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅市場正在迅速擴大。11月23日，上海浦東臨港，在由臨港集團主辦、臨港科投與AspenCore承辦的“2023中國臨港國際半導(dǎo)體大會”同期舉辦的“汽車半導(dǎo)體峰會”上，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍以“功率半導(dǎo)體的碳化硅時代”為主題，分享了碳化硅市場概述及碳化硅技術(shù)的發(fā)展趨勢。碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。根據(jù)機構(gòu)統(tǒng)計，2022年意法碳化硅功率器件的市占率約為37%-40%，英飛凌和Wolfspeed市占率分別為19%和20%左右，安森美緊隨隨后，份額為14%。最后，根據(jù)數(shù)據(jù)來源的不同，羅姆市占率在7%-11%之間。這些公司在2023年的財務(wù)指引顯示，其營收可能達到約34億美元，增長速度接近100%。據(jù)預(yù)測，到2028年，該市場規(guī)模將增長到約89億美元，其中電動汽車市場的占比將繼續(xù)擴大。到2030年，碳化硅器件市占率預(yù)期總和已超過100%。隨著技術(shù)的不斷進步和成本的降低，碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒉粩鄶U大。未來幾年，電力電子、新能源、汽車制造等領(lǐng)域?qū)μ蓟璧男枨髮⒗^續(xù)保持高速增長。同時，5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域也將為碳化硅產(chǎn)業(yè)帶來巨大的發(fā)展機遇。和巍巍表示：“幾乎所有的大型半導(dǎo)體廠商都在積極投入資金，擴大生產(chǎn)規(guī)模，從幾億美元到幾十億美元不等。這充分顯示了行業(yè)對碳化硅未來發(fā)展的樂觀態(tài)度。”除了在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用外，碳化硅在工業(yè)電源、光伏儲能和軌道交通等領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。例如，工業(yè)電源、服務(wù)器電源和5G基站電源等都大量使用碳化硅二極管。在光伏領(lǐng)域，碳化硅主要用于光伏逆變器中的Boost升壓和DC-AC逆變。此外，碳化硅二極管或碳化硅MOSFET在新能源車型中也得到了廣泛應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計，截至今年10月，國內(nèi)銷售的新能源汽車已超過700萬輛，預(yù)計到年底將達到900萬輛，滲透率達到33%。隨著新能源汽車的快速發(fā)展，電驅(qū)系統(tǒng)也出現(xiàn)了一些新的應(yīng)用趨勢，三合一電驅(qū)成為主流，同時800V系統(tǒng)也在快速發(fā)展中。碳化硅技術(shù)的發(fā)展趨勢及挑戰(zhàn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋多個環(huán)節(jié)，從碳化硅高純粉末到碳化硅器件，碳化硅要經(jīng)過切、磨、拋、外延生長、光刻、刻蝕等多道工序，如果是開關(guān)器件還要驅(qū)動集成到設(shè)備里。碳化硅材料的單晶生長技術(shù)主要包括PVT（物理氣相輸運法），HT-CVD（高溫化學(xué)氣相沉積法），LPG（液相生長法）等。其中，PVT是目前最常用的方法，是非常成熟的SiC材料單晶生長技術(shù)。和巍巍認為，按生長技術(shù)的成熟度來排序，依次是PVT＞HT-CVD＞液相生長。外延設(shè)備主要技術(shù)路線有三種，分別是水平反應(yīng)室、行星式反應(yīng)室、頂噴垂直氣流反應(yīng)室。由于行星式生產(chǎn)效率更高，因此和巍巍推測該技術(shù)目前應(yīng)用最多。在碳化硅功率器件技術(shù)方面，雖然溝槽型一度被認為是最優(yōu)選擇，但平面型碳化硅MOSFET已經(jīng)展現(xiàn)出極具競爭力的性能，特別是在高溫下提導(dǎo)通阻提升比例比溝槽要小，這就會讓平面型在高溫下優(yōu)勢更加明顯。和巍巍認為，在未來很長一段時間還是平面型和溝槽型共存的狀態(tài)。碳化硅器件的高功率密度，高結(jié)溫特性，高頻特性要求現(xiàn)有封裝技術(shù)帶來更多的創(chuàng)新。和巍巍指出，在碳化硅模塊里，大概60%-70%都是芯片成本，所以封裝用更好的封裝材料、封裝技術(shù)把60%的芯片潛力充分發(fā)揮。目前碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)之一是改善和提高8寸大尺寸SiC晶片產(chǎn)量，因EV市場快速擴張引起的n-4H-SiC晶片需求的增大，使得SiC制造需要改善和提高晶片產(chǎn)量方法，一些方法可使晶體引入應(yīng)力，并在下游制造中顯現(xiàn)出來（如外延后）。此外，還需聚焦晶體缺陷（TSD、BPD）降低與可視化檢測，以及降低4H-SiC晶片成本。此外，MOSFET器件也面臨降低成本和增加可靠性的挑戰(zhàn)。和巍巍指出，MOSFET器件要實現(xiàn)滿足市場需求的量產(chǎn)，需要大量資本投資，如與襯底廠商垂直整合，向200mm晶圓過渡，支撐指數(shù)式市場增長。關(guān)于降低成本方面，特斯拉今年提出要減少75%的碳化硅用料，基本半導(dǎo)體對此進行了深入的分析，并認為特斯拉可能會采取硅和碳化硅并聯(lián)的方案。通過在IGBT基礎(chǔ)上增加一小部分碳化硅，雖然成本增加了百分之五六十，但效率損耗卻減少了更多。另外一種方案是在全碳化硅MOSFET上替換為硅的IGBT，這樣成本會降低，損耗會相應(yīng)增加。但是，由于加入了IGBT，器件的抗短路能力會得到提高，從而提高了可靠性。和巍巍：“確定硅和碳化硅的配比是一個關(guān)鍵的難點，因為它們具有不同的特性和保護方式。為了解決這個問題，我們需要專業(yè)的驅(qū)動芯片來完成配比和保護，否則電路板上放置12個驅(qū)動芯片將會非常困難。”總之，特斯拉提出的減少碳化硅用料的方案需要進一步的技術(shù)研發(fā)和定制驅(qū)動芯片的支持來實現(xiàn)。這將有助于提高電動汽車的性能和可靠性，并降低成本。基本半導(dǎo)體第二代MOSFET產(chǎn)品的性能參數(shù)已媲美國際知名品牌基本半導(dǎo)體是一家總部位于深圳的半導(dǎo)體公司，成立于2016年，擁有四百多名員工，其中超過一半是研發(fā)人員，產(chǎn)品線包括四個大類碳化硅器件（二極管、MOSFET）、車規(guī)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片及模塊，以及簡單的功率半導(dǎo)體測試設(shè)備。據(jù)介紹，其第二代MOSFET產(chǎn)品的性能參數(shù)已經(jīng)達到了國際知名品牌的同等水平。這些產(chǎn)品在光伏儲能充電樁等領(lǐng)域尚未大規(guī)模應(yīng)用，但已經(jīng)在電動汽車中得到了廣泛的應(yīng)用。基本半導(dǎo)體的模塊產(chǎn)品平臺包括管腳式PHD封裝和塑封DCM封裝，以及正在開發(fā)中的雙面散熱封裝和ED3。所有產(chǎn)品的開發(fā)流程都遵循嚴格的國際先進開發(fā)流程。此外，該公司在深圳有一條6寸碳化硅產(chǎn)線，并在無錫有一條碳化硅封裝線，其中采用了許多新的技術(shù)，例如銀燒結(jié)。此外，基本半導(dǎo)體進行了大量的測試工作，包括產(chǎn)線上的追溯和集成。例如，在Pcore6產(chǎn)品中，公司采用了低雜感AMB、超聲焊、碳化硅芯片雙面燒結(jié)等技術(shù)。公司的產(chǎn)業(yè)布局主要涉及兩個工廠，分別位于深圳光明區(qū)和無錫新吳區(qū)。在汽車領(lǐng)域，公司已經(jīng)獲得了近30個車型的定點，并且已經(jīng)與廣汽埃安展開了深入的合作。此外，上海和寧波的兩家客戶也即將進入量產(chǎn)階段。基本半導(dǎo)體是一家以高品質(zhì)碳化硅功率器件為核心業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體公司，致力于為工業(yè)和汽車等領(lǐng)域提供先進的解決方案。
哦! 它是空的。