經(jīng)歷漫長(zhǎng)的下行周期之后，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格止跌，部分型號(hào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈。存儲(chǔ)芯片周期拐點(diǎn)何時(shí)到來(lái)？產(chǎn)業(yè)發(fā)展有何新趨勢(shì)？

11月8日，在深圳舉行的2024年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上，集邦咨詢(xún)資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示：“下游整體需求正在緩步復(fù)蘇，其中AI（人工智能）服務(wù)器等領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)領(lǐng)先，各個(gè)下游領(lǐng)域整體需求將緩步回升到正增長(zhǎng)軌道。未來(lái)5年到10年，人工智能會(huì)漸漸滲透到我們每個(gè)人的生活之中，帶來(lái)巨大的存儲(chǔ)芯片需求。”

多名接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪的業(yè)內(nèi)人士表示，縮小與海外原廠以及存儲(chǔ)模組頭部廠商的差距，加速技術(shù)突破、強(qiáng)化品牌建設(shè)是當(dāng)前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組廠商的重要命題。在市場(chǎng)疲軟期，我國(guó)兆易創(chuàng)新、瀾起科技、時(shí)創(chuàng)意等一批存儲(chǔ)企業(yè)緊跟前沿技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，積極進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，豐富產(chǎn)品線，有利于把握產(chǎn)業(yè)周期拐點(diǎn)帶來(lái)的機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步發(fā)展。

“過(guò)山車(chē)”行情之后春天即將到來(lái)

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的反彈信號(hào)，讓行業(yè)人士看到“曙光”。在2024年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上，集邦咨詢(xún)資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：“2023年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫(kù)存為目標(biāo)。目前實(shí)際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預(yù)計(jì)第四季度庫(kù)存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動(dòng)價(jià)格緩步上漲。”

國(guó)家專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)時(shí)創(chuàng)意董事長(zhǎng)倪黃忠在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示：“近2年來(lái)，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過(guò)山車(chē)行情，從2021年的缺貨，供不應(yīng)求，到2022年的產(chǎn)能過(guò)剩，2023年第三季度開(kāi)始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號(hào)，存儲(chǔ)芯片春天即將到來(lái)。”

進(jìn)入第四季度，多個(gè)型號(hào)的存儲(chǔ)芯片呈現(xiàn)漲價(jià)之勢(shì)。根據(jù)集邦咨詢(xún)最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季Mobile DRAM（移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13%至18%。NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲(chǔ)芯片）、UFS（通用閃存存儲(chǔ)芯片）第四季合約價(jià)漲幅約10%至15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。

存儲(chǔ)賽道上市公司對(duì)周期的研判也備受關(guān)注。存儲(chǔ)芯片頭部企業(yè)兆易創(chuàng)新加大去庫(kù)存的力度，近幾個(gè)季度以來(lái)存貨呈逐步下降的趨勢(shì)。

近日，兆易創(chuàng)新在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示：“大存儲(chǔ)在今年第三季度已經(jīng)達(dá)到了價(jià)格的底部區(qū)間。在今年三季度末大存儲(chǔ)出現(xiàn)一些價(jià)格反彈，此反彈對(duì)利基存儲(chǔ)有一定的帶動(dòng)效應(yīng)，利基存儲(chǔ)價(jià)格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲(chǔ)的價(jià)格有望延續(xù)反彈的走勢(shì)，但也不太會(huì)出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會(huì)隨著大存儲(chǔ)反彈的走勢(shì)，延續(xù)微弱反彈的趨勢(shì)。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時(shí)間。”

設(shè)計(jì)封裝技術(shù)升級(jí)成發(fā)展趨勢(shì)

今年以來(lái)，人工智能浪潮席卷全球，催生新的市場(chǎng)需求的同時(shí)，對(duì)硬件設(shè)計(jì)、封裝制造等也提出了更高要求，存儲(chǔ)賽道企業(yè)面臨重新洗牌。

郭祚榮向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示：“原本主要由手機(jī)芯片占據(jù)先進(jìn)工藝產(chǎn)線，將因人工智能芯片需求的崛起而發(fā)生變化，自研芯片或?qū)⑾駻SIC（專(zhuān)用集成電路）方向發(fā)展，我們每個(gè)人的生活也將因人工智能芯片逐步導(dǎo)入市場(chǎng)而發(fā)生巨大的變革。”

近一年來(lái)，時(shí)創(chuàng)意實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)工藝突破，公司推出第二代Flip Chip先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)能耗更低、成本更低、穩(wěn)定性更高。公司積極布局UFS，目前已擁有UFS升級(jí)產(chǎn)線，自研自造的512GB UFS3.1產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

倪黃忠向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示：“公司進(jìn)入存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)十年，在行業(yè)里還是較為年輕的公司，公司不斷從技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新、企業(yè)智能應(yīng)用、人才資源匯聚三個(gè)維度修煉內(nèi)功，今年以來(lái)研發(fā)投入力度加大，人才方面增加了100多名工程師，未來(lái)公司將在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域繼續(xù)研發(fā)創(chuàng)新，推動(dòng)行業(yè)向前發(fā)展。”

今年以來(lái)，在行業(yè)低谷期，時(shí)創(chuàng)意快速完成了A、B兩輪戰(zhàn)略融資。5月份完成2.8億元戰(zhàn)略A輪融資，近日又宣布完成超3.4億元B輪融資，此輪融資由國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子領(lǐng)域頭部企業(yè)領(lǐng)投，資金將用于技術(shù)研發(fā)，擴(kuò)產(chǎn)與流動(dòng)資金補(bǔ)充等。

兆易創(chuàng)新前瞻性地識(shí)別高潛力產(chǎn)品方向，戰(zhàn)略性建立先發(fā)優(yōu)勢(shì)。持續(xù)完善產(chǎn)品線，升級(jí)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。過(guò)去幾年兆易創(chuàng)新DRAM業(yè)務(wù)處于從無(wú)到有開(kāi)展技術(shù)研發(fā)的過(guò)程，經(jīng)過(guò)努力DDR4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。兆易創(chuàng)新方面表示：“DDR3在2023年基本完成功能驗(yàn)證和客戶(hù)導(dǎo)入的工作，目前處于良率提升和起量爬坡階段，有望在2024年為公司貢獻(xiàn)更多營(yíng)收。公司也在積極開(kāi)展8GbDDR4等其他利基型DRAM產(chǎn)品研發(fā)，希望補(bǔ)齊整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口利基型DRAM產(chǎn)品線，有效支撐公司DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶(hù)需求。”

深科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示：“bumping和FC工藝是進(jìn)一步發(fā)展先進(jìn)封裝的必要條件，目前公司bumping產(chǎn)線已經(jīng)完成工藝技術(shù)的準(zhǔn)備以及生產(chǎn)管理系統(tǒng)的完善，并且產(chǎn)品良率已達(dá)到可以量產(chǎn)的水準(zhǔn)。”