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美格納推出第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管(SJ MOSFET)

來源:美格納| 發布日期:2023-11-02 17:16

美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管(SJ MOSFET)。

這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用 180nm 微納加工工藝和美格納的最新設計技術制造。這項先進的技術通過將電池間距降低 50% 和導通電阻 RDS(on) 降低 42%,增強了之前的 SJ MOSFET 迭代。因此,該產品采用相同的十瓦封裝 (DPAK),同時提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和出色的功率密度。

此外,與上一次迭代相比,總柵極電荷減少了約29%,從而降低了開關損耗并提高了電源效率。事實上,該產品的電源效率是其最重要的特性之一,因為它為產品設計人員提供了各種應用的靈活性。此外,在柵極和源極之間嵌入了齊納二極管,以增強MOSFET在應用中的魯棒性和可靠性,并保護其免受外部浪涌和靜電放電的影響。

這款新型600V SJ MOSFET具有高效率、靈活設計和可靠性,可用于各種應用,包括服務器、OLED電視和筆記本電腦快速充電器。全球市場研究公司Omdia 預測,2023 年至 2027 年間,全球服務器出貨量將以每年 8% 的速度增長,而全球 OLED 電視出貨量將以每年 11% 的速度增長,到 2027 年將達到 930 萬臺。

據美格納稱,該公司計劃在 2024 年發布更多第 6 代 SJ MOSFET,包括帶有快速恢復體二極管的 MOSFET。


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