4008-622-911
電路技術！基于51單片機DTH11溫濕度測量儀protues仿真設計
基于51單片機DTH11溫濕度測量儀protues仿真設計
仿真原版本：protues 8.9
程序編譯器：keil4/keil 5
編程語言：C語言
設計編號：S0022
功能說明：
運用所學單片機知識，完成溫濕度信號的測量。
要求如下：
單片機系統選擇使用AT89C51，溫度傳感器采用DHT11，將溫濕度傳感器DHT11采集到的溫度及濕度值數據顯示在LCD顯示器上。
仿真電路：
程序設計：
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2022年以來首次正增長，二季度中國藍牙耳機市場出貨量同比增長9.9%
根據IDC《中國無線耳機市場季度跟蹤報告，2023年第二季度》，2023年上半年中國無線藍牙耳機市場出貨量4,588萬臺，同比下降0.1%。其中，第二季度出貨量2,527萬臺，同比增長9.9%，迎來2022年以來首次正增長。這意味著隨著年中促銷及消費回暖，市場需求開始呈現復蘇狀態。其中整體市場價格進一步下探，低價位段產品成為驅動市場增長的主力。2023年上半年藍牙耳機細分市場情況如下：真無線耳機：出貨量為3,322萬臺，同比增長0.5%；其中二季度出貨1,804萬臺，同比增長8.7%。真無線耳機市場成為除開放式耳機外率先恢復正增長的產品類型，同時也帶動了大盤的回暖。雖然真無線耳機整體明顯向低價位段轉移，但其中主動降噪耳機的出貨占比仍維持穩定，高性價比在相對成熟的真無線耳機市場成為廠商重要競爭手段。頸戴藍牙耳機：出貨量為701萬臺，同比下降16.3%；二季度出貨381萬臺，同比下降3.8%。其中頸圈市場在第二季度也從持續負增長的狀態回升到了8.1%的正增長。頭戴藍牙耳機：出貨量272萬臺，同比下降15.7%；二季度出貨146萬臺，同比下降13.1%。第二季度頭部廠商的市場份額相對有所增長，與年中促銷有一定關系。除此之外，頭戴線上市場中千元以上的高端市場相對穩定，而線下市場更明顯向千元以內轉移。開放式藍牙耳機：出貨量293萬臺，同比增長125.2%；二季度出貨196萬臺，同比增長158.2%。開放式藍牙耳機市場在整體經濟環境尚不穩定的情況下一直保持著穩定正增長，其形態也進一步差異化。除骨傳導，耳夾和耳掛產品均迅速發展，尤其是耳夾產品正以極低廉的價格快速進行市場滲透。IDC預計，2023年中國藍牙耳機市場出貨量將達到9,486萬臺，同比增長2.7%，其中真無線耳機市場出貨量7,047萬臺，同比增長3.3%。當前藍牙耳機市場主要呈現以下兩個特點：1. 入門級價位段帶動整體市場增長二季度真無線產品200元人民幣（未稅）以內價位段占比59.6%，出貨量同比增長32.2%，從而帶動真無線市場顯著增長。由于品牌競爭逐漸激烈，廠商紛紛下探市場以獲取或穩定自身份額，并在銷量與經營利潤之間尋求平衡。與此同時，白牌廠商在入門級市場快速發展，其優勢主要在于極高的性價比和靈活的線上渠道。從消費端看，一方面當前經濟環境下市場對價格的敏感度提高，另一方面各種新形態、造型甚至IP聯名的藍牙耳機也因為在一定程度上能為消費者帶來“小確幸”從而衍生消費需求，這也驅動入門級藍牙耳機的消費有所增長。2. 開放式市場產品形態進一步豐富，各廠商紛紛加入布局并快速擴張開放式市場在2023年上半年依然維持著高速穩定增長的趨勢，無論是技術角度的骨傳導和氣傳導，還是形態角度的耳掛、耳夾和頸戴式，均呈現快速增長。二季度整體開放式市場的品牌集中度進一步分散，各廠商紛紛加入布局，加快市場分化。其中，骨傳導耳機作為開放式耳機的最主要產品形態，隨著春夏季戶外運動需求增加仍然保持較大增長動力。并且隨著進入的玩家增多，門檻下降，帶動了中低價位段的占比上漲。耳掛式和耳夾式產品主要以氣傳導技術為主，耳掛式產品價格兩極化分布明顯，耳夾式產品則是集中在以白牌為代表的入門級市場，以低價和靈活的渠道優勢快速滲透市場。IDC中國分析師葉青清認為，目前我們能看到，藍牙耳機市場中跨界IP聯名的合作逐漸增多，其中以真無線耳機居多。耳機廠商靠IP聯名的方式不管從營銷端還是產品端都能激發出一部分消費動力，通過新鮮感刺激目前比較保守的耳機消費市場。在IP聯名如此頻繁的時代，產品外觀設計、故事性、品牌契合度及營銷玩法，都是聯名合作能夠更加深層觸動消費者意愿、帶來突破性流量落地的重要因素。盡管價格刺激目前為藍牙耳機市場帶來一定回穩，但從長遠來看，如何在消費者價格敏感度提升的狀況下，更好地布局產品線、兼顧銷量利潤并提高用戶留存，對于各個耳機廠商依然是極富挑戰性的命題。
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大廠工程師應用筆記——千兆以太網器件設計、PCB布線指南！
本應用筆記旨在幫助客戶使用Microchip微芯的10/100/1000 Mbps以太網器件系列設計PCB。本文檔提供有關PCB布線建議， PCB 布線是保持信號完整性和減少EMI問題的關鍵環節。本文涵蓋以下主題：? 通用PCB布線指南? 以太網布線指南? EMI注意事項? ESD注意事項? 常見布線問題疑難解答01.低通用PCB布線指南電源注意事項：確保足夠的電源額定值。確認所有電源和穩壓器都能提供所需的電流大小。電源輸出紋波應限制在50 mV以下（為了獲得最佳性能，最好小于10 mV）。所有電源和地平面上的噪聲水平應限制在50 mV以下。鐵氧體磁珠的額定電流應為預期提供電流的4-6倍。另外，還應考慮因溫度產生 的降額。器件去耦：PCB裝配上的每個高速半導體器件都需要去耦電容。每個電源引腳都需要一個去耦電容。去耦電容值取決于應用。典型的去耦電容值范圍為0.001 μF至0.1 μF。總去耦電容應大于提供給數字輸出緩沖器的負載電容，以避免將噪聲引入電源。通常，選擇II類介電電容進行去耦。首選方案是X7R介電陶瓷電容，因為它具有出色的穩定性、合理的封裝尺寸以及優異的電容特性。設計人員的第二個選擇是X5R介電電容，因為它具有出色的穩定性。但是，X5R在封裝尺寸與電容特性方面可能會存在一定的限制。考慮去耦電容特性時，低電感至關重要。每個去耦電容都應盡可能靠近要去耦的電源引腳。所有去耦電容引線應盡可能短。最佳做法是將電容直接連接到地以及頂層的電源引腳。如果不得不使用過孔，則焊盤到過孔的連接長度應小于10 mil。走線連接應盡可能寬，以降低電感。強烈建議考慮通過兩個過孔連接所有旁路電容的地，以極大地減小該連接的電感。PCB旁路：? 旁路電容應放置在靠近PCB上所有電源入口點的位置。這些電容從高速數字負載吸收高頻電流。? 設計中的所有電源連接和所有穩壓器均應使用旁路電容。? 旁路電容的值取決于應用，由電源的頻率以及負載瞬態幅值和頻率決定。? 所有旁路電容引線應盡可能短。最佳做法是將電容直接連接到地以及頂層的電源引腳。如果不得不在表面貼裝焊盤外使用過孔，則焊盤到過孔的連接長度應小于10 mil。走線連接應盡可能寬，以降低電感。? 強烈建議考慮通過兩個過孔連接所有旁路電容的地，以極大地減小該連接的電感。圖1 PCB旁路技術示例PCB大電容：?必須適當利用大電容，以將開關噪聲降至最低。大電容有助于保持恒定的直流電壓和電流大小。?設計中的所有電源平面和穩壓器均應使用大電容。?旁路電容的值取決于應用，由電源的頻率以及負載瞬態幅值和頻率決定。?所有大電容引線應盡可能短。最佳解決方案是在表面貼裝焊盤內使用平面連接過孔。在表面貼裝焊盤外使用過孔時，焊盤到過孔的連接長度應小于10mil。走線連接應盡可能寬，以降低電感。?遵循良好的設計原則，只要在電路中使用鐵氧體磁珠，就應在鐵氧體磁珠的每一側放置大電容。?如果在USB連接器上使用鐵氧體磁珠來對VCC進行濾波，則建議不要在USB連接器側使用大電容。這是限制USB電路浪涌電流的一種嘗試。Microchip強烈建議在鐵氧體磁珠內側使用4.7μF的大電容。PCB層策略：?所有以太網LAN設計至少使用4層PCB。?在典型的PCB層疊結構中，頂層（元件側）為信號，第2層為固定連續地平面，第3層為固定電源平面，第4層為另一個信號。第1層被視為主要的關鍵布線和元件層，因為其正下方是固定數字地平面。另外，第1層不需要通過過孔來連接位于第1層的元件。?所有PCB走線（尤其是高速和關鍵信號走線）應在固定連續地平面層相鄰的第1層上布線。這些走線必須具有連續的參考平面，才能滿足其整個傳導長度的要求。應避免信號走線穿過平面分割處（圖2），因為這會導致不可預測的返回路徑電流，并且可能引起信號完整性問題以及產生EMI問題。如果不得不穿過參考平面中的分割處，請考慮添加拼接電容。?需要將以太網機架地平面與數字地平面分離。?避免在PCB設計和系統設計中形成接地回路。?為了便于布線并最大程度減少信號串擾問題，多層設計中的相鄰層應以正交方式布線。圖2 信號穿過平面分割處的示例推薦的層疊布局? 四層板- 信號 1 （頂層）- GND- 電源平面/GND- 信號2? 六層板- 信號 1 （頂層）- 電源平面/GND- 信號2（最適合時鐘和高速信號）- 信號3（最適合時鐘和高速信號）- GND- 信號4信號完整性問題：? 根據需要為所有高速開關信號和時鐘線提供交流端接。在走線的負載端進行上述端接。隨著PCB上走線長度的增加，這一設計問題變得更加關鍵。? 提供阻抗匹配的串聯端接，以最大程度地減小關鍵信號（地址、數據和控制線）中的振鈴、過沖和下沖。這些串聯端接應位于走線的驅動器端，而不是走線的負載端。隨著PCB上走線長度的增加，這一設計問題變得更加關鍵。? 盡量減少在整個設計中使用過孔。過孔會增加信號走線的電感。? 請務必查看整個PCB設計，了解是否有走線在任何參考平面切口上方穿過。這很有可能會引起EMC問題。? 通常，應查看所有信號串擾設計規則以避免串擾問題。確保走線間有足夠的間隔，以避免串擾問題。? 也可使用保護走線來最大程度地減少串擾問題。PCB走線注意事項：? 避免在高速數據走線中使用90度角。這類角度會影響走線寬度和快速信號的阻抗控制。? 要使 PCB 走線能夠提供所需電流量，應為其設計合理的寬度。在頂層或底層的局部區域中使用迷你平面，這樣可確保提供足夠的電流。? 連接任何電源平面或地平面的所有元件引線應盡可能短。最佳解決方案是在表面貼裝焊盤內使用平面連接過孔。在表面貼裝焊盤外使用過孔時，焊盤到過孔的連接長度應小于10 mil。走線連接應盡可能寬，以降低電感。這包括為電源層供電的任何鐵氧體磁珠以及為電源層供電的熔絲等 。晶振電路：? 將所有晶振電路元件置于頂層。這將使所有這些元件及其走線以同一數字地平面為參考。? 盡可能將所有晶振元件和走線與其他信號隔離。晶振對雜散電容和其他信號的噪聲敏感。晶振還可能干擾其他信號并引起EMI噪聲。? 負載電容、晶振和并聯電阻應靠近彼此放置。負載電容的接地連接應較短，并遠離USB和VBUS電源線的返回電流。負載電容的返回路徑應連接到數字邏輯電源的地平面。? 從以太網器件到晶振、電阻和電容的PCB走線應在長度上匹配，彼此應盡可能靠近，同時保持最短的路徑。長度匹配的優先級應高于最短的路徑長度。? 驗證晶振電路在應用的整個工作范圍內工作時是否符合規范（+/-50 PPM）。這包括溫度、時間和應用容差。接地標志（外露焊盤）中的過孔：? 在GND標志上打滿過孔，以確保到地平面的熱連接和電氣連接良好。地平面應為1 oz或更高值，以確保器件具有固定的GND參考。這將有助于降低GND噪聲并為器件提供理想的散熱效果。圖3給出了標志焊盤中的接地過孔區示例。圖3 標志焊盤中的接地過孔區示例02.標志焊盤中的接地過孔區示例以太網差分對：? 每個TRxP/TRxN信號組都應作為差分對布線。這包括從RJ45 連接器到LAN器件的整段走線。? 單個差分對應盡可能靠近布線。通常，在開始計算阻抗時，選擇最小的走線間距（4-5 mil）。然后調整走線寬度以 獲得必要的阻抗。? 差分對應構造為 100?受控阻抗對。? 差分對應遠離所有其他走線布線。嘗試使所有其他高速走線與以太網前端保持至少0.300英寸的距離。? 確保器件與RJ45 之間的對內和對間偏移分別小于50 mil和600 mil。? 差分對的長度應盡可能短。? 盡可能不要過孔。如果使用過孔，請保持最小值并始終匹配過孔，以便平衡差分對。? 最大程度減少層變化。盡可能使差分對以相同的電源/地平面為參考。? 通常，將千兆位以太網的四個差分對連接到RJ45連接器時，至少有一對需要通過過孔連接到相對的外部層。在這種 情況下，必須確保電路板另一側（通常是第4層）上的布線經過對地阻抗較低的連續參考平面。切勿越過平面邊界 布線。? 為獲得最佳抗擾度，布線時盡可能使每個差分對互相遠離。? 端接應始終使用與差分布線相同的參考平面。? 應先對差分對進行布線。確定布線后再添加端接。只需將端接“放在”差分布線上即可。? 太網前端的所有電阻端接應具有 1.0%容差值。? 以太網前端的所有電容端接都應具有嚴格的容差和高質量的電介質。? 為了實現最佳分離效果，可以通過在差分對之間插入地平面孤島來進行實驗。應使該地平面與任何走線的間距保持 為電解質距離（PCB內銅層的間距）的3至5倍。? 如果存在端口串擾問題，則可以使用上文所述的相同分離技術來分離不同的以太網端口。可以在以太網通道之間插 入地平面。應使該地平面與任何走線的間距保持為電解質距離的3至5倍。圖4 芯片到磁件差分對布線示例圖5 磁件到RJ45差分對布線示例RJ45連接器：磁件能夠隔離本地電路和以太網信號連接的其他設備。IEEE 隔離測試在隔離側施加壓力，以測試隔離的介電強度。隔 離繞組的中心抽頭有一個“Bob Smith”端接， 通過75?電阻和 1000 pF電容連接到機架地。端接電容應具有3 kV的電 壓容差。要通過EMI兼容性測試，可參考以下實用建議：? 建議將RJ45 連接器的金屬屏蔽層連接到機架地以減少EMI發射。? 為了進一步減少EMI 問題，可以在適當平面之間放置帶狀線來代替外層的微帶線。請注意，將帶狀線直接放在彼此 的頂部可能會導致通道之間出現電容耦合。不過，對于差分對，這種耦合可能是有益的。? 最好不要使電路地平面與形成耦合的機架地重疊，而應使機架地成為一個隔離孤島，并在機架地和電路地之間留出 空隙。在機架地和電路地空隙上放置兩到三個1206焊盤。這樣就能通過實驗選擇合適的感性、容性或阻性元件，以 通過EMI發射測試。1206焊盤的位置應盡可能靠近電路板上的電源入口，以使兩個地之間的電流遠離任何敏感電路。? 為了最大程度提高ESD 性能，設計人員應考慮選擇不帶LED 的RJ45 模塊。這將簡化布線并允許以太網前端中具有 更大的間隔，以改善ESD/敏感性性能。? 此外，還可通過使用表面貼裝觸點 RJ45 連接器來提高 ESD 性能。這可以簡化布線并允許以太網前端中具有更大的 間隔，以改善ESD敏感性性能。? 分立和嵌入式RJ45 和磁件模塊的元件放置：以太網器件與磁件之間的距離應小于 1英寸。如果無法實現，則最大值不得超過3英寸。? 磁件與RJ45 之間的距離應小于 1英寸。從以太網器件到RJ-45 連接器測得的差分對的總長度應小于4英寸。磁件：? 以太網的磁件可以是集成的，也可以是分立的。建議使用分立模塊以更好地控制EMI。? 為了最大程度地提高ESD性能，設計人員應考慮選擇分立變壓器，而不是集成磁件/RJ45模塊。這可以簡化布線并 允許以太網前端中具有更大的間隔，以改善ESD/敏感性性能。? 使用分立磁件時， 務必使用端接：四個 75? 端接用于線纜側中心抽頭， 未使用的引腳連接到 EFT（電快速瞬變） 電容。? 使用連接到地平面的EFT電容以及75?端接。建議值為 1500 pF/2 KV或 1000 pF/3 KV。電容與走線和元件的間距至少應保持50 mil。? 實現地分割以進行高壓安裝（不需要集成磁件）。通常，在 PCB 上磁件到 RJ45 連接器的中間區域清除所有平面。TRxP/TRxN對應是這一清除區域中僅有的走線，從而形成LAN應用所需的高壓勢壘的一部分。? 阻抗不連續會導致意外的信號反射。最大程度減少過孔（信號通孔）和其他不規則傳輸線的數量。如果必須使用過 孔，合理的做法是每段差分走線經過兩個過孔。ETHRBIAS/ISET：ETHRBIAS/ISET電阻設置內部參考電流源。因此，ETHRBIAS/ISET引腳是一個高阻抗節點，在ETHRBIAS/ISET走線上 產生的任何噪聲都會直接影響內部參考電流，從而對眼圖質量造成負面影響。ETHRBIAS/ISET 電阻應放置在靠近 ETHRBIAS/ISET引腳的位置，并且接地回路應盡可能短且直接連接地平面。電阻走線應非常短，并與附近的走線隔離。03.EMI注意事項PCB EMI設計指南：? 在原理圖和PCB設計周期中都必須考慮如何實現EMC設計。? 最好從產生EMC的根源解決EMC 問題。標識關鍵電路：? 發射—— 時鐘、總線和其他重復電路。?如果使用晶振，則確保熱引線盡可能短且匹配。?向時鐘振蕩器添加較小的阻尼電阻或鐵氧體。?控制時鐘布線?當心有噪聲的振蕩器模塊。?如有可能，應避免使用振蕩器。振蕩器會增加EMI、功耗和抖動。?如有可能，應使用晶振。? 抗擾度—— 復位、中斷和關鍵控制線。?向電路輸入端添加高頻濾波器。?控制走線布線。?不要使高速信號走線穿過任何平面分割處。謹慎選擇需要考慮EMI的器件：? 越慢越好—— 上升時間和時鐘。? 對于信號和電源，使用高速CMOS時需要小心。電路板設計：? 多層板在發射和抗擾度方面的性能要出色得多。? 不要在電源和地平面中嵌入走線。密切注意電源去耦：? 用高頻電容為每個器件去耦。? 使用高頻電容旁路電路板的每個電源輸入。? 電容引線應盡可能短。? 為了在超高速設計中改善噪聲和EMI，可以組合使用 0.1 μF、0.01 μF和容值更低的電容。I/O電路注意事項：? 信號、電源和地是通過I/O的三個EMI路徑。? 向所有I/O線路添加高頻濾波器，即使是慢速線路也是如此。? 正確實現I/O平面的隔離。04.ESD注意事項? RJ45 連接器必須具有金屬屏蔽層，以確保最高的ESD性能。? RJ45 連接器的金屬屏蔽層必須直接連接到系統機架地平面的兩個點。? 必須在磁件到RJ45 連接器的中間區域清除所有電源平面和非以太網走線。間隔至少應保持0.250 英寸。? N/S和E/W磁件的固定方式不同；因此，磁件的選擇和位置對于ESD 性能至關重要。? 正確布局高壓勢壘。? 選擇帶有機架接地片的特定RJ45 連接器，并將它安裝在遠離8引腳連接的位置，這已被證實是ESD的最佳配置。? RJ45 連接器相對于其他連接器和整個PCB的位置對于整體ESD性能非常重要。? 確保與高壓勢壘區域相關和位于其中的所有電路僅以機架地為參考。高壓勢壘區域中的LED、電容和反并聯二極管 如果以數字地為參考，會對高壓勢壘帶來不利影響（見圖6）。? 電源電壓線應與其返回線緊密纏繞在一起。? PCB的所有電源入口都必須正確旁路，盡可能靠近PCB上的電源連接器。? 接地連接應遠離敏感電路。這種策略將迫使ESD流遠離敏感電路，并將其引向地。? 整個設計中的所有信號走線均應保持最短。考慮向長度超過 12英寸的信號線添加數字地“保護走線”。? 如果允許 ESD 進入數字地平面，則可能導致數字接地層發生“接地反彈”。這可能導致意外的系統行為和/ 或系統 故障。應盡一切努力確保不允許任何ESD源進入PCB上的任何數字地或電源平面。
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