汽車事件數據記錄系統（EDR）市場的不斷發展正在推動專用數據記錄存儲設備的需求，這些設備能夠即時捕獲關鍵數據并可靠地存儲數據長達數十年。
近日，英飛凌科技進一步擴展其EXCELON F-RAM存儲器產品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新1Mbit EXCELON F-RAM是業內首款車規級串行F-RAM存儲器。

這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫度范圍（-40°C 至+125°C ），補充了存儲密度從4Kbit到16Mbit不等的車規級F-RAM存儲器產品組合。
它們均具有快速且高度可靠的讀/寫性能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的讀寫性能分別高達50 MHz和108 MHz。
此外，這些存儲器具有10萬億次讀寫周期，能夠支持以10微秒間隔進行數據記錄長達20年。

英飛凌科技RAM解決方案副總裁Ramesh Chettuvetty表示：“隨著電子系統的廣泛應用，以及行業法規鼓勵在安全氣囊系統及發動機控制和電池管理系統中使用高可靠非易失性存儲器，汽車系統中的數據記錄需求正在迅速增長。需要記錄數據的應用數量不斷增加，根據特定用例定制存儲密度的需求也隨之增長。英飛凌致力于幫助客戶靈活滿足各類系統設計對存儲器架構的要求。”

EXCELON F-RAM存儲器具有零延遲寫入功能，可以持續捕獲并記錄數據，直到事故或其他用戶定義的觸發事件發生前的最后一瞬間。
這兩款新品采用串行（SPI/QSPI）接口，具備F-RAM存儲器的超低功耗特性，工作電壓范圍為1.8 V至3.6 V，并采用標準的8引腳SOIC封裝。
半導體科技公司英飛凌的F-RAM存儲器除了具有出色的耐用性外，還可在斷電后保存數據超過100年。