三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。

他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術和HCB（混合鍵合）技術，以應用于該產品。

此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業務團隊，以加強尖端封裝技術并最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。

行業機構預測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優勢，可以加快AI數據處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術迭代。

雖然HBM4技術將有重大突破，但它的推出時間并不會很快，因此討論其應用和普及還為時過早。業內人士指出，當前HBM市場主要以HBM2e為主，未來HBM3和HBM3e將成為主流。

據悉，HBM芯片是一種高帶寬內存芯片，被廣泛應用于高性能計算、數據中心、人工智能等領域。HBM芯片采用3D堆疊工藝，將多個DRAM芯片堆疊在一起，以實現更高的內存帶寬和容量，同時減小了芯片面積，降低了功耗和成本。